临沭铟珠回收之从炼锌副产品中回收铟    

 矿业公司以炼锌中产生的净液残渣作为原料，先分离和浸出，脱铜、脱铝，除去原料中与镓铟性质相似的重金属，然后在富集镓铟的溶液中加入盐酸，混合搅拌，调整酸度之后，再用醚萃取铟，使它和镓及其它金属分离。最后用水反萃出铟，再经置换，熔融和电解。 

  在每次电解中需调整电流密度和电解液的酸度，以除去微量的镉、锡和铝等，生产出4 N 以上的金属铟。此外，铟的选择性分离法是把铅、锌冶炼过程中产生的含有微量的铟烟尘、阳极泥等各种残渣以及电解排出液作为原料，采用含萃取剂膦酸二(2-乙基己基)酯的有机溶剂，于pH小于1.0的条件下，对含铟及其它金属的硫酸溶液萃取，然后用盐酸在30-700C 进行反萃，从而选择性分离铟。其萃取铟的效率可高达98%以上。

临沭铟珠回收之铟在半导体领域的应用

铟具有沸点高、低电阻和抗腐蚀等特性，在半导体领域也应用广泛。

铟的半导体化合物广泛应用于光通信及红外仪器领域，如CaInP用作发光原件，InAs及InAsP用作霍尔原件，Inb用作大功率激光器，InS作为红外探测器等，如红外巡航导弹、军用红外夜视装置都装备有Inb制作的红外探测器。

临沭铟珠回收之ITO薄膜的基本性能 

  ITO（In2O3:SnO2=9:1）的微观结构，In2O3里掺入Sn后，Sn元素可以代替In2O3晶格中的In  元素而以SnO2的形式存在，因为In2O3中的In元素是三价，形成SnO2时将贡献一个电子到导带上，同时在一定的缺氧状态下产生氧空穴，形成1020至1021cm-3的载流子浓度和10 至30cm2/vs的迁移率。这个机理  提供了在10-4Ω.cm数量级的低薄膜电阻率，所以ITO薄膜具有半导体的导电性能。 

  ITO是一种宽能带薄膜材料，其带隙为3.5-4.3ev。紫外光区产生禁带的励起吸收阈值为3.75ev，相当  于330nm的波长，因此紫外光区ITO薄膜的光穿透率极低。同时近红外区由于载流子的等离子体振动现象  而产生反射，所以近红外区ITO薄膜的光透过率也是很低的，但可见光区ITO薄膜的透过率非常好。

  由以上分析可以看出，由于材料本身特定的物理化学性能，ITO薄膜具有良好的导电性和可见光区较高的光透过率。

临沭铟珠回收之从合金中回收金属铟    

  以铅、锡等为主体的多元合金及金属化合物，含有铟、锗等有价金属，可采用碱熔、酸浸的方法回收铟、锗等有价金属。如电炉底铅是以铅、锡等为主体的多元合金及金属化合物，往电炉底铅中加入NaOH，进行碱熔和碱煮，将细浸出渣酸浸，两段酸浸的铟总浸出率达99%，铟直收率达84.3%。    

  我国铟的提取工艺在上世纪90年代初获得突破，在有色金属工业快速发展的大背景下，铟的提取工艺普及非常快，特别是铟价高涨之后，铟的综合回收受到企业的普遍重视，国内科研单位和生产企业针对各种含铟物料的提铟工艺又取得长足进展，因此我国铟产量增长迅速。主要生产厂家工艺特点在于针对不同的含铟原料采取不同的初步富集方法和溶解技术，再根据介质情况选择适合的萃取剂。

临沭铟珠回收之纳米铟对于太阳能背板电池铝浆烧结的改性作用

  在光伏产业链上，铝浆是作为晶体硅太阳电池的肖电场（也称肖场）存在的，就是在太阳电池的背面制作一层与基区导电类型相同的重掺杂区。

  在烧结铝浆的过程中，当铝硅界面温度达到577℃以上时，铝原子以一定的比例熔入半导体晶硅中，温度降低时，铝硅合金系统冷却，硅原子在熔液中的溶解度下降，多余的硅原子从熔液中析出，形成掺有铝的外延层。那部分掺了铝的硅就与p区形成了p—p+结,这就是铝背电场。   

  铝浆所起作用  形成铝背p一p+结，提高开路电压；   形成硅铝合金对硅片进行有效地掺杂，提高效率；   能与硅形成牢固的欧姆接触。    

  铟与铝同属于第3主族，p轨道上都有1电子，性质相似，都能对硅起到掺杂作用形成p—p+结。

  铟的金属性比铝更强，即活性更高，更容易与硅形成欧姆接触，更容易对硅进行有效掺杂，形成的铝背电场强度更高，载流子浓度提高，宏观上表现为电导率提高。

  纳米铟大部分粒子分布在D90在80纳米以下，暴露在纳米粉体表面铟原子的活性极高，很容易对硅实现掺杂，提高晶体硅的电导率，同时小颗粒的铟粉，易于填充到微米铝粉堆积的空间中，使得导电相的排列紧密，形成导电网络，进而有助于提高电导率。

临沭铟珠回收之镓铟锡合金的产品特性

  1.为灰白色有光泽金属，以铋元素、镓元素等为基的一类易熔合金。 

  2.熔点有47℃、70℃、92℃、120℃等多种选择；低熔点合金采用水浴法或者油浴法即可熔化。

  3.强度室温下为30MPa，延伸率3％，硬度为25HBS。