兰陵铟泊回收之粗铟纯物质沸点判定
根据粗铟中各杂质元素的沸点不同，我们可以判定是否可以采用真空蒸馏的方法对粗铟中的杂质进行分离。低沸点的组分通常比高沸点的组分容易蒸发，在蒸馏过程中低沸点的组分挥发进入气相，而高沸点的组分则往往残留于液相当中，两者沸点差越大，越容易分离。
可以初步判断，杂质元素As、Cd、Zn、Ti、Pb的沸点低于In的沸点，在蒸馏过程中优先In挥发进入气相；而Sn、Cu、Al、Fe、Ni的沸点高于In的沸点，在蒸馏过程中基本不挥发，残余在液相中。但由于杂质元素存在使得各组分的沸点发生改变，因此，此方法只能初步判断各组分能否分离。
兰陵铟泊回收之氧化铟锡的主要应用
随着显示器件行业的飞速发展，对ITO薄膜的产品性能特性提出了新的要求。同时ITO薄膜制备技术的深入发展，使显示器件的需要变成可能。不同性能的ITO薄膜可以在不同显示器件中的应用。
随着PDA、电子书等触摸式输入电子产品的悄然兴起，相应材料的制成设备也应运而生。由于触摸式产品工作原理的特殊性，其所需的ITO薄膜必须是在柔性材料（PET）上制成的，薄膜的沉积温度不能太高（小于120℃），同时要求ITO膜层较薄、面电阻高而且均匀，所以对ITO薄膜的沉积工艺提出了严格的要求。
随着有机电致发光显示器（OLED）以及其它显示器件的发展，对ITO薄膜的制成工艺和设备将会有更新、更高的要求，同时也有力的推动了ITO薄膜制成设备的发展。
兰陵铟泊回收之氧化铟锡的基本性能
ITO薄膜的基本性能ITO（In2O3:SnO2=9:1）的微观结构，In2O3里掺入Sn后，Sn元素可以代替In2O3晶格中的In元素而以SnO2的形式存在，因为In2O3中的In元素是三价，形成SnO2时将贡献一个电子到导带上，同时在一定的缺氧状态下产生氧空穴，形成1020至1021cm-3的载流子浓度和10至30cm2/vs的迁移率。
这个机理提供了在10-4Ω.cm数量级的低薄膜电阻率，所以ITO薄膜具有半导体的导电性能。ITO是一种宽能带薄膜材料，其带隙为3.5-4.3ev。紫外光区产生禁带的励起吸收阈值为3.75ev，相当于330nm的波长，因此紫外光区ITO薄膜的光穿透率极低。同时近红外区由于载流子的等离子体振动现象而产生反射，所以近红外区ITO薄膜的光透过率也是很低的，但可见光区ITO薄膜的透过率非常好，由于材料本身特定的物理化学性能，ITO薄膜具有良好的导电性和可见光区较高的光透过率。
