涡阳碎铟渣回收之镓铟锡合金的应用领域
1)用在医疗上,主要用来做特定形状的防辐射专用挡块。
2)可以方便用作铸造制模,生产特殊产品用模具、铸造特殊用产品。
3)用于电子电气自动控制,作热敏元件、保险材料、火灾报警装置等。
4)在折弯金属管时,作为填充物。
5)做金相试样时,作为嵌镶剂。
![](https://www.feipinzhan.com/file/upload/202111/12/1949267511671.jpg)
涡阳碎铟渣回收之影响ITO薄膜导电性能的因素
ITO薄膜的面电阻(R□)、膜厚(d)和电阻率(ρ)三者之间是相互关联的,下面给出了这三者之间 的计算公式。即 R□=ρ/ d
(1)由公式(1)可以看出,为了获得不同面电阻(R□)的ITO薄膜,实际上就是要获得不同的膜厚和电阻 率。一般来讲,制备ITO薄膜时要得到不同的膜层厚度比较容易,可以通过调节薄膜沉积时的沉积速率和 沉积的时间来制取所需要膜层的厚度,并通过相应的工艺方法和手段能进行精确的膜层厚度和均匀性控制。而ITO薄膜的电阻率(ρ)的大小则是ITO薄膜制备工艺的关键,电阻率(ρ)也是衡量ITO薄膜性能的一项重要指标。公式(2)给出了影响薄膜电阻率(ρ)的几种主要因素 ρ=m*/ne2τ (2) 式(2)中,n、τ分别表示载流子浓度和载流子迁移率。当n、τ越大,薄膜的电阻率(ρ)就越小,反之亦然。而载流子浓度(n)与ITO薄膜材料的组成有关,即组成ITO薄膜本身的锡含量和氧含量有关,为了得到较高的载流子浓度(n)可以通过调节ITO沉积材料的锡含量和氧含量来实现;而载流子迁移率(τ)则与ITO薄膜的结晶状态、晶体结构和薄膜的缺陷密度有关,为了得到较高的载流子迁移率(τ)可以合理的调节薄膜沉积时的沉积温度、溅射电压和成膜的条件等因素。
所以从ITO薄膜的制备工艺上来讲,ITO薄膜的电阻率不仅与ITO薄膜材料的组成(包括锡含量和氧含量)有关,同时与制备ITO薄膜时的工艺条件(包括沉积时的基片温度、溅射电压等)有关。有大量的科技文献和实验分析了ITO薄膜的电阻率与ITO材料中的Sn、O2元素的含量,以及ITO薄膜制备时的基片温度等工艺条件之间的关系。
![](https://www.feipinzhan.com/file/upload/202111/12/1949061311671.jpg)
涡阳碎铟渣回收之铟的生产
铟在加工其他金属矿物时作为副产物。它的主要来源是硫化锌矿,硫化锌矿主要存在于闪锌矿中少量可能从硫化铜矿物中提取。在锌冶炼的焙烧--电解提取的过程中,铟会聚集在富含铁的残余物中。铟可从上述方式中提取,也可以直接从过程产生的溶液还原并通过电解进一步地纯化。确切的过程因冶炼厂的运作方式而异。 铟的生产受到每年提取的硫化锌(和铜)矿物数量的限制(因为铟是副产物)。
因此,需要根据供应潜力来衡量其可用性。副产物的供应潜力定义为在当前市场条件下(技术和价格)每年从其主体材料中商业化提取的量 。副产品不需考量存量和来源,因为它不能独立于主要产品中提取。最近的估计显示,铟的供应潜力至少有 1,300吨/年是来自硫化锌矿石以及 20 公吨/年来自硫化铜矿石 。这些数字远远高于目前的产量(2016 年为 655 公吨) ,因此,在不显著增加生产成本或价格的情况下,未来铟的副产品可能增加产量。 2016年铟的平均价格为240美元/公斤,低于2014年的705美元/公斤。
![](https://www.feipinzhan.com/file/upload/202111/12/1949277611671.jpg)
涡阳碎铟渣回收之镓铟锡合金的应用领域
1)用在医疗上,主要用来做特定形状的防辐射专用挡块。
2)可以方便用作铸造制模,生产特殊产品用模具、铸造特殊用产品。
3)用于电子电气自动控制,作热敏元件、保险材料、火灾报警装置等。
4)在折弯金属管时,作为填充物。
5)做金相试样时,作为嵌镶剂。
![](https://www.feipinzhan.com/file/upload/202111/12/1948507711671.jpg)
涡阳碎铟渣回收之铟产品的应用简介
铟的某些化合物,如氧化物、硫化物和磷酸盐,多用于制造黄色和橙黄色玻璃,以及特种光学玻璃。含有铋或镉的铟硼酸盐玻璃,能够吸收中等强度的X光,还可以吸收比热中子能量更高的中子。
铟的卤化物,其中如碘化铟,常用作金属卤化物灯中的添加剂,旨在增强照明的输出功率和改善光谱的质量。
铟锭:梯形,表面光洁,呈白色具有金属光泽,主要供制造多种合金、特殊焊、涂层、电子及生产高纯铟等部门使用。
三氧化二铟:淡黄色,用于荧光屏,玻璃,陶瓷,化学试剂等。
氢氧化铟:用于电池,玻璃,陶瓷化学试剂等。
高纯三甲基铟:白色结晶性晶体,主要用作GAEHI 工艺外延生长含铟化合物,半导体光电功能材料的原料。
高纯氯化铟:无色或白色粉末,主要用于制荧光粉、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体、低压纳灯、锰干电池无汞负极、( 锌)防腐添加剂、ITO透明电池等。
铟是锗晶体管中的掺杂元素,在PNP锗晶体管生产中使用铟的数量最大。
每年铟在新用途方面的用量还以10%-20%的速度增加。因为其较软的性质在某些需填充金属的行业上也用于压缝。如:较高温度下的真空缝隙填充材料。