利辛氢氧化铟粉回收之氧化铟锡的缘由与目的   

  氧化铟锡因具有可见光高穿透率、红外线反射率大及紫外线吸收率强，内含有很高的自由载子浓度，导电性质良好，为一良好之光电薄膜目前氧化铟锡薄膜的制作和被应用在作为透明电极(尤以LCD最为广泛采用)、抗反射层、光电子组件、热反射镜、除霜器、抗静电膜及太阳能收集器等方面已备受研究。   

  薄膜内应力可能来自薄膜沈积过程产生之缺陷、微结构或薄膜和基材间彼此不尽相同的晶格参数而在界面所造成的应力等因素影响。本实验以反应磁磁溅镀法低温溅镀氧化铟锡薄膜于压克力基材上，藉由控制氧气流量和膜厚，探讨其对附着性质之影响。

利辛氢氧化铟粉回收之铟及其化合物的职业危害

  从国内外的毒性研究、职业流行病学调查和临床病例文献中显示，铟及其化合物具有明确的急性和慢性毒性作用，主要是对呼吸系统的损害，接触氧化铟锡可致间质性肺炎、肺纤维化和肺泡蛋白沉积症。

  目前，国内外铟及其化合物致人肺部损害的临床病例报道大部分来自使用ITO靶材的液晶显示面板制造业。2003 年Homma等报道一名从事ITO表面抛光工作的27 岁男性工人患上间质性肺炎，在支气管管腔、肺泡腔和肺泡间隔中有大量的细小颗粒，用电子显微镜扫描证明这些颗粒是铟和锡。Homma等[3]2005年还报道了一例30岁的男性工人在吸入氧化铟锡后导致了肺纤维化。Cummings等[4]报道了两名接触ITO的液晶面板产业工人患上肺泡蛋白沉着症的案例，其中1人死亡；两名工人均通过呼吸道接触ITO粉尘，肺部组织切片中均发现铟颗粒。我国肖永龙等[5]2010 年曾报道一接触铟化合物的工人出现咳嗽、胸闷和呼吸困难，最后死亡，X 射线胸片显示肺间质弥漫性病变，胸腔镜活检发现肺泡间隙有大量的嗜酸性物质，肺间质有大量的浆细胞和淋巴细胞。其他对人健康影响的报道大部分来自职业流行病学调查。Chonan等[6]选取接触铟的108名男性工人和38名未接触铟的男性健康者对照进行研究。108人中有18人存在慢性咳嗽和咳痰症状，4人有杵状指；肺部HRCT显示，23名（21%）接触铟者出现显著的间质性改变，14名（13%）接触铟者出现显著的肺气肿改变；肺功能检测显示6名接触者%VC<80%，4名接触者 %DLCO<80%。相对于未接触铟人群，现在接触铟和过去接触铟人群血清铟浓度均显著增高。Nakano等[7]对13家工厂开展流行病学研究。研究对象包括465名现在接触铟工人，127名过去接触铟工人和169名未接触铟工人。相对于未接触铟组，现在接触铟组和过去接触铟组血清铟浓度和血清KL-6水平浓度均显著增高，具有统计学意义。  

利辛氢氧化铟粉回收之废铟蒸发面积和保温时间对提纯效果的影响  

  在蒸发空间体积一定的条件下，增大蒸发面积，可以降低金属的实际分压，从而使的金属的实际分压和饱和分压差值增大，因而，在增大物料的蒸发面积可以提高金属的增发速率，进而提高提纯效果。

  在低温蒸馏过程中，适当的缩短保温时间，可以大大减少主体金属铟的挥发，提高铟的直收率；高温蒸馏过程，缩短保温时间，可以降低挥发物中的Sn含量。

利辛氢氧化铟粉回收之ITO薄膜的基本性能 

  ITO（In2O3:SnO2=9:1）的微观结构，In2O3里掺入Sn后，Sn元素可以代替In2O3晶格中的In  元素而以SnO2的形式存在，因为In2O3中的In元素是三价，形成SnO2时将贡献一个电子到导带上，同时在一定的缺氧状态下产生氧空穴，形成1020至1021cm-3的载流子浓度和10 至30cm2/vs的迁移率。这个机理  提供了在10-4Ω.cm数量级的低薄膜电阻率，所以ITO薄膜具有半导体的导电性能。 

  ITO是一种宽能带薄膜材料，其带隙为3.5-4.3ev。紫外光区产生禁带的励起吸收阈值为3.75ev，相当  于330nm的波长，因此紫外光区ITO薄膜的光穿透率极低。同时近红外区由于载流子的等离子体振动现象  而产生反射，所以近红外区ITO薄膜的光透过率也是很低的，但可见光区ITO薄膜的透过率非常好。

  由以上分析可以看出，由于材料本身特定的物理化学性能，ITO薄膜具有良好的导电性和可见光区较高的光透过率。

利辛氢氧化铟粉回收之氧化铟锡导电玻璃制造工艺 

  （1）电化学扩散工艺：在玻璃上用电化学扩散方法可获得掺杂超导薄膜。玻璃在电化学处理装置中与熔融金属或化合物接触，在一定的电场作用下，熔融金属或化合物中的离子会扩散到玻璃表面，玻璃中的一价碱金属离子离解处来，等量地扩散至阴极表面，使玻璃表面的化学组成发生变化。性能随之改变。 

  （2）高温喷涂和等离子体喷涂工艺：这种技术是将粉末状金属或非金属、无机材料加热至熔化或未熔化状态，并进一步加温使其雾化，形成高温高速焰流喷向需喷涂的玻璃基体。采用这种方式可以先在基体上制备YBaGUOx等涂层，在经过热处理可成为超导性材料。 

  纳米线是一种纳米尺度(1纳米=10^-9米)的线。换一种说法，纳米线可以被定义为一种具有在横向上被限制在100纳米以下（纵向没有限制）的一维结构。这种尺度上，量子力学效应很重要，因此也被称作"量子线"。根据组成材料的不同，纳米线可分为不同的类型，包括金属纳米线（如：Ni，Pt，Au等），半导体纳米线（如：InP，Si，GaN等）和绝缘体纳米线（如：SiO2，TiO2等）。分子纳米线由重复的分子元组成，可以是有机的（如：DNA）或者是无机的（如：Mo6S9-xIx）。作为纳米技术的一个重要组成部分，纳米线可以被用来制作超小电路。银纳米线除具有银优良的导电性之外，由于纳米级别的尺寸效应，还具有优异的透光性、耐曲挠性。因此被视为是最有可能替代传统ITO透明电极的材料，为实现柔性、可弯折LED显示、触摸屏等提供了可能，并已有大量的研究将其应用于薄膜太阳能电池。此外由于银纳米线的大长径比效应，使其在导电胶、导热胶等方面的应用中也具有突出的优势。 

  纳米线是由直径为数十纳米、长度为数十微米的水晶银制成，因此纵横比较高。施涂到塑料（通常是PET）基板上时，生成的膜具有一层高度导电但透明的银纳米网线。单晶银线会重叠在一起，形成高度导电的网络（因为银是已知最具导电性的元素）。

利辛氢氧化铟粉回收之铟在光伏电池领域的应用

  异质结电池或将引发大规模需求    相比传统的太阳能电池，异质结电池具有更多优势。异质结电池结合了单晶硅与非晶硅电池的优点，利用非晶硅薄膜与单晶硅衬底异质结结构，相比传统电池具有更多优势：   

 1）低温工艺：异质结电池结合了薄膜太阳能电池低温(<250℃)制造的优点，从而避免采用传统的高温(>900℃)扩散工艺来获得p-n结。这种技术不仅节约了能源，而且工艺上也易于优化器件特性；  

  2）双面电池：正面和背面基本无颜色差异，且双面率(指电池背面效率与正面效率之比)可达到90%以上，最高可达96%，背面发电的优势明显；   

  3）高效率：异质结电池独有的异质结结构，在p-n结成结的同时完成了单晶硅的表面钝化，大大降低了表面、界面漏电流，提高了电池效率；    

  4）高稳定性：异质结电池的温度稳定性好，与单晶硅电池-0.5%/℃的温度系数相比，异质结电池的温度系数可达到-0.25%/℃，使得电池即使在光照升温情况下仍有好的输出；    

  5）无光致衰减：晶硅太阳能电池最重要的问题之一就是光致衰减，而异质结电池天然无衰减，甚至在光照下效率有一定程度的增加；    

  6）对称结构适于薄片化，异质结电池完美的对称结构和低温度工艺使其非常适于薄片化，电池薄片化不仅可以降低硅片成本，其应用也可以更加多样化；   

  7）降本空间大：异质结电池的厚度薄，可以节省硅材料；低温工艺可以减少能量的消耗，并且允许采用廉价衬底；高效率使得在相同输出功率的条件下可以减少电池的面积，从而有效降低了电池的成本。    

  异质结电池成本不断逼近PERC，未来潜力巨大。异质结电池的制备分为4个步骤，清洗制绒、非晶硅沉积、TCO（透明导电氧化物镀膜玻璃）沉积和丝网印刷。在TCO沉积这一环节中，目前主要采用RPD（反应等离子体沉积）和PVD（物理化学气相沉积）两种方法，其中就需要用到氧化铟掺钨（IWO）或氧化铟锡（ITO）作为溅射靶材。氧化铟锡中氧化铟和氧化锡的比例通常为9:1。根据光伏前沿数据，目前采用MBB技术的异质结电池成本预计在1.79元/瓦，采用SWCT技术的异质结电池成本预计在1.69元/瓦，接近PERC电池的1.66元/瓦。预计得益于技术进步和规模化生产，异质结电池的成本不断降低，将能够实现大规模应用。   

  纯异质结电池实验室转换效率已超过25%，国内产商加速布局。目前国内外对异质结电池的研究已大范围展开，转换效率亦逐步攀升。早期布局异质结的企业主要有钧石、汉能、晋能、中智以及上澎等，2019年以来异质结产线的投资节奏明显加快，投资规模越来越大，主流电池厂陆续加入异质结电池研发，外部资本也在不断涌入，异质结产业化进程在提速。截止2019年底，汉能研发效率达到25.11%。晋能和钧石研发效率接近25%，量产效率站上24%。同时异质结电池相对PERC具有双面率高、无光衰、温度系数低、弱光效应高、工艺步骤少等诸多优势，性价比不断提升。